BSC043N03LSC G datasheet
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>> BSC043N03LSC G MOSFET N-KANAL POWER MOS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BSC043N03LSC G
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET N-KANAL POWER MOS
制造商
Infineon Technologies
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
16 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.0043 Ohms
配置
Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
BSC043N03LSC G
BSC043N03LSCG
BSC043N03MSCG
BSC046N02KS
BSC046N02KS G
BSC046N02KSG
供应商
公司名
电话
深圳市众芯微电子有限公司
0755-83208010
陈小姐
山东骏腾电子科技有限公司
15275345555
李震
彭银平
彭银平
深圳市百润电子有限公司
17876146278
梁
深圳市崧晔达科技有限公司
13926591096
苑小姐
BSC043N03LSC G 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
3,600
0.642
2311.2
5,000
0.61
3050
10,000
0.586
5860
25,000
0.572
14300
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